Исследование деградации мощности излучения гетероструктур algainp красного и желтого цвета свечения при облучении гамма квантами


Градобоев 1,2 , К. Вид ВАХ светодиодов в области сильной инжекции перестает зависеть от концентрации примесей в слаболегированной области активной области светодиода , это объясняется тем, что при высоком уровне инжекции свойства полупроводника активной области определяются в основном концентрацией инжектированных носителей.

Представлены результаты исследования деградации параметров гетероструктур AlGaInP красного нм и желтого нм свечения на примере светодиодов при облучении гамма-квантами 60 Со в пассивном режиме питания.

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур algainp красного и желтого цвета свечения при облучении гамма квантами

Представленные результаты позволяют сделать вывод о том, что исследуемые СД работают при средней и высокой инжекции электронов [ 3,4 ]. В последние годы разрабатывается огромное количество полупроводниковых устройств на основе четверичных соединений AlGaInP , которые применяются в ядерной и атомной электронике, в сфере оптической сигнальной обработки, в широком диапазоне, как гражданской, так и аппаратуре специальной техники [ 1 ].

Показано, что в исследуемом диапазоне доз и флюенсов видимые изменения в вольт-амперных характеристиках ВАХ отсутствуют.

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур algainp красного и желтого цвета свечения при облучении гамма квантами

Рассмотрим результаты измерений, полученные при исследовании светодиодов AlGaInP далее СД при облучения гамма квантами и быстрыми нейтронами. Изменение Вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами.

Первый участок обозначен цифрой 1 на рис.

Представленные результаты позволяют сделать вывод о том, что исследуемые СД работают при средней и высокой инжекции электронов [ 3,4 ]. Снижение мощности излучения светодиодов при облучении гамма-квантами 60 Co и быстрыми нейтронами в исследуемом случае обусловлено введением центров безызлучательной рекомбинации или дополнительных центров поглощения излучения.

Конечно же, эти предположения нуждаются в проверке на СД изготовленных из других материалов. Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами. В частности, из рис.

На основании анализа полученных данных и усреднения результатов напряжения и токов не выявлено явных изменений в ВАХ светодиодов. Получена 19 апреля г.

Линза для формирования направленного пучка излучения была изготовлена из оптического компаунда ПЭОМЭ. На первом участке ВАХ рис. I t is postulated, that light output power decreases proportionally dose gamma-irradiation and inversely operating current.

При дальнейшем увеличении тока наряду с инжекцией электронов сказывается модуляция сопротивления активной области светодиодов, это определяет второй участок ВАХ исходных светодиодов на рис. Представлены результаты исследования деградации параметров гетероструктур AlGaInP красного нм и желтого нм свечения на примере светодиодов при облучении гамма-квантами 60 Со в пассивном режиме питания.

Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах Томск, Россия, т. Линза для формирования направленного пучка излучения была изготовлена из оптического компаунда ПЭОМЭ. Modak, M. In the first stage decrease is caused by first type center of nonradiative recombination.

Сопоставляя полученные результаты, можно в некоторой степени свести к минимуму влияние отжига радиационных дефектов на получаемые результаты при проведении измерений. Получена 17 октября г.

Искажает вид характеристик также изменение времени жизни носителей, температуры, наличие каналов поверхностной электропроводности и т. Выполненные нами оценки показали, что действительно при выявленных нами граничных значениях плотности рабочего тока СД концентрация инжектируемых электронов сопоставима с концентрацией дырок в р-области.

Цель работы: Градобоев 1,2 , К. На основании анализа полученных данных и усреднения результатов напряжения и токов не выявлено явных изменений в ВАХ светодиодов. Градобоев, К. На прямой ветви ВАХ светодиодов, построенных в полулогарифмических координатах, достаточно четко выделяются две области, которые соответствуют областям средней и сильной инжекции электронов.

Представлены результаты исследования деградации параметров гетероструктур AlGaInP красного нм и желтого нм свечения на примере светодиодов при облучении гамма-квантами 60 Со в пассивном режиме питания. Орлова 1 , И.

Асанов 2. Рубанов, И. При облучении во всем диапазоне доз и флюенсов ВАХ светодиодов не показали видимых изменений, что позволяет сделать вывод о неизменности механизмов образования тока при облучении гамма излучением и быстрыми нейтронами во всем исследуемом диапазоне доз и флюенсов.

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами. Граница между областью средней и областью сильной инжекции электронов определяется равенством концентрации инжектируемых электронов и концентрации дырок в р-области.

Это позволяет предположить, что закономерности изменения мощности излучения и рабочего тока в области средней инжекции электронов не зависят или слабо зависят от ширины запрещенной зоны.

Изготовленные кристаллы монтировались в стандартный корпус ТО С другой стороны в области высокой инжекции электронов наклон ВАХ увеличивается с уменьшением ширины запрещенной зоны. Как уже было показано ранее, при значительном снижении мощности излучения изменений в ВАХ СД выявлено не было. Значит, механизм токообразования при облучении гамма-излучением и быстрыми нейтронами является неизменным.

Орлова 1 , И.

Показано, что деградация светового потока обусловлена введением двух типов центров безизлучательной рекомбинации радиационного происхождения. Ввиду использования данных светодиодов в космическом пространстве и других условиях повышенного радиационного фона, перед исследователями стоит задача по определению радиационной стойкости светодиодов AlGaInP и ее прогнозированию.

При облучении во всем диапазоне доз и флюенсов ВАХ светодиодов не показали видимых изменений, что позволяет сделать вывод о неизменности механизмов образования тока при облучении гамма излучением и быстрыми нейтронами во всем исследуемом диапазоне доз и флюенсов.

Значит, механизм токообразования при облучении гамма-излучением и быстрыми нейтронами является неизменным.

Это позволяет предположить, что закономерности изменения мощности излучения и рабочего тока в области средней инжекции электронов не зависят или слабо зависят от ширины запрещенной зоны. Показано, что в исследуемом диапазоне доз и флюенсов видимые изменения в вольт-амперных характеристиках ВАХ отсутствуют.

Так как на данный момент практически отсутствуют данные по деградации гетероструктур AlGaInP при воздействии гамма и нейтронного излучения, являются необходимыми дальнейшие исследования изменения характеристик гетероструктур под действием ионизирующего излучения. На рис.



Секс студенту ру
Порно зашил пизду и трахнул в попу
Молодой парень и девушка транс
Сиськи glori anne gilbert
Куряща пизда
Читать далее...